特徴と応用
外部シール層がなく、表面実装に適している、
誘電体はII類セラミックスであり、誘電率が高く、コンデンサ容量体積比が大きい、
各ロットの製品はDPA、100%温度衝撃スクリーニング、高温電気負荷と室温湿度スクリーニングを経て、
各種軍用電子機器におけるバイパス、フィルタ、低周波結合回路、または損失と容量安定性に対する要求が低い回路に適している。
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発注例
| G | ；CT41G ；- ；0805 ；- ；X7R ；- ；50V ；- ；104 ；K ；T | ||||||
| 品質等級 | モデルとなって着る | がいぶすんぽう | おんどとくせい | ていかくでんあつ | こうしょうようりょう | キャパシタンス公差 | ラップ |
| 下表を参照 | II類磁器媒体 多層セラミックコンデンサ |
下表を参照 | 下表を参照 | 直接標準法50 V | 数値メソッド、104は100000 pF | 下表を参照 | T：緩い包装 E：板材取付 |
品質等級と実行基準対照表
| 品質等級 | 品質等級コード | 実行は共通基準を参照 | 詳細仕様番号 |
| 七つの特色料理 | G | QZJ 840624セラミックコンデンサ「七つのプロフェッショナル」技術条件 | Q/MC114-2019 |
| 一般軍事レベル | J | GJB192B-2011 | Q/MC113-2019 |
がいぶすんぽう
| 寸法コード | 外形寸法（mm） | ノート冊 | ||
| L | W | Tmax | ||
| 0402 | 1.00±0.15 | 0.50±0.05 | 0.55 | CR＜1.0μF |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.15 | 0.8 | CR≥1.0μF | |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.20 | 0.8 | CR≥10.0μF | |
| 0603 | 1.60±0.15 | 0.80±0.15 | 0.95 | CR＜10.0μF |
| 1.60±0.30 | 0.80±0.30 | 1.1 | CR≥10.0μF | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 1.4 | CR＜10.0μF |
| 2.00±0.40 | 1.25±0.40 | 1.5 | CR≥10.0μF | |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.9 | |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.30 | 2.8 | |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.40 | 3.5 | |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 5.2 | |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 6.2 | |
おんどとくせい
| 温度特性コード | 最大許容容量変化 | 動作温度範囲 |
| X7R | ±15% | -55℃~+125℃ |
| X5R | ±15% | -55℃~+85℃ |
キャパシタンスマージン
| コード＃コード＃ | 許容偏差範囲 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主な業績指標
| プロジェクト | しけんじょうけん | パフォーマンス指標 |
| キャパシタンス ；CR |
CR≤10μF： 1KHz±10%，1V±0.2Vrms 10μF＜CR＜470μF： 120Hz±10%，0.5V±0.2Vrms |
1.UR>；50V，tgδ≤250x104. 2、 UR=50V，tgδ≤350x104. 3、 UR=25V，tgδ≤350x104. 4、 UR=16V，tgδ≤500x104. 5、 UR≤10V，tgδ≤1000x104. 6、サイズ0603及び以下、又は容量が1μF以上、tgδ≦1000 x 104. 7.CR≥100μF，tgδ≤1500x104. |
| そんしつかくタンジェント ；tgδ | ||
| ぜつえんていこう ；IR | しけんでんあつ：定格電圧UR;試験時間：1 min±5 s |
CR<；0.047μF、赤外スペクトル≧4 x 103.MΩ CR≥0.047μF，IR≥100MΩ·μF |
| たいあつ | しけんでんあつ：2.5UR;試験時間：5 s±1 s | 破壊、アーク、または可視損傷なし |
メッセージ