特徴と応用
外部シール層がなく、表面実装に適している、
誘電体はII類セラミックスであり、誘電率が高く、コンデンサ容量体積比が大きい、
各ロットの製品はすべて100%温度衝撃スクリーニングと高温電気負荷スクリーニングを経て、
武器、艦船、航空宇宙などの各種軍用電子機器におけるバイパス、フィルタ、低周波結合回路、または損失と容量安定性に対する要求が低い回路に適している。
発注例
| G | ；CT41L ；- ；0805 ；- ；2C1 ；- ；50V ；- ；104 ；K | |||||
| 品質等級 | モデルとなって着る | がいぶすんぽう | おんどとくせい | ていかくでんあつ | こうしょうようりょう | キャパシタンス公差 |
| 下表を参照 | II類磁器媒体 多層セラミックコンデンサ |
下表を参照 | 下表を参照 | 直接標準法50 V | 数値メソッド、104は100000 pF | 下表を参照 |
品質等級と実行基準対照表
| 品質等級 | 品質等級コード | 実行は共通基準を参照 | 詳細仕様番号 |
| 七つの特色料理 | G | QZJ 840624セラミックコンデンサ「七つのプロフェッショナル」技術条件 | Q/MC111-2019 |
| 一般軍事レベル | J | GJB192B-2011 | Q/MC110-2019 |
がいぶすんぽう
| 寸法コード | 外形寸法（mm） | 备注 | ||
| L | W | Tmax | ||
| 0402 | 1.00±0.15 | 0.50±0.05 | 0.55 | CR＜1.0μF |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.15 | 0.8 | CR≥1.0μF | |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.20 | 0.8 | CR≥10.0μF | |
| 0603 | 1.60±0.15 | 0.80±0.15 | 0.95 | CR＜10.0μF |
| 1.60±0.30 | 0.80±0.30 | 1.1 | CR≥10.0μF | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 1.4 | CR＜10.0μF |
| 2.00±0.40 | 1.25±0.40 | 1.5 | CR≥10.0μF | |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.9 | |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.30 | 2.8 | |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.40 | 3.5 | |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 5.2 | |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 6.2 | |
おんどとくせい
| 温度特性コード | 最大許容容量変化 | 動作温度範囲 |
| X7R | ±15% | -55℃-+125℃ |
| X7S | ±22% | -55℃~+125℃ |
| X7T | -33%~+22% | -55℃-+125℃ |
| X6S | ±22% | -55℃-+105℃ |
| X6T | -33%~+22% | -55℃~+105℃ |
| X5R | ±15% | -55℃-+85℃ |
| X5S | ±22% | -55℃~+85℃ |
| 2R1 | ±15% | -55℃~+125℃ |
| 2R2 | ±15% | -55℃~+85℃ |
| 2C1 | ±20% | -55℃~+125℃ |
| 2C2 | ±20% | -55℃~+85℃ |
| 2X1 | ±15% | -55℃~+125℃ |
キャパシタンスマージン
| コード＃コード＃ | 許容偏差範囲 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主な業績指標
| プロジェクト | しけんじょうけん | パフォーマンス指標 |
| キャパシタンス ；CR |
1、容量リストA： CR＜100pF:1MHz±20%，1V±0.2Vrms CR≥100pF:1KHz±20%，1V±0.2Vrms 2、容量リストB： CR≤10μF:1KHz±10%，1V±0.2Vrms 10μF＜CR＜470μF： 120Hz±10%，0.5V±0.2Vrms CR≥470μF:50Hz±10%，0.5V±0.1Vrms |
1.、容量表A：tgδ ；≤350×104. 2、容量リストB： a、0603及び以下の寸法、又は容量が1μF以上、tgδ≦1200×10の製品4. b、 UR≤16V，tgδ≤1000×104.； 16V＜UR≤50V，tgδ≤500×104.； 50V＜UR≤200V，tgδ≤250×104.； c、 cR≥100μF，tgδ≤1500×104. |
| そんしつかくタンジェント ；tgδ | ||
| ぜつえんていこう ；IR | しけんでんあつ：定格電圧UR;試験時間：1 min±5 s | 1、容量リストA： CR≤25μF，IR≥4000MΩ CR＞25μF，IR≥100MΩ·μF 2、容量リストB： CR＜0.047μF、IR≧1×104 MΩまたは500 MΩ・μFは、小さいものを基準とする CR≥0.047μF，IR≥100MΩ·μF |
| たいあつ | しけんでんあつ：2.5UR;試験時間：5 s±1 s | 破壊、アーク、または可視損傷なし |
メッセージ