特徴と応用
チップ製品は、表面実装に適している、
誘電体はII類セラミックスであり、容量が大きい。
250 VDC ~ 6000 VDCまでの耐圧、
製品は100%温度衝撃と高温電気負荷のスクリーニングを経て、
軍用レーダー、通信、航空、武器システムなどの電子機器、フィルタ、低周波結合回路、または損失と容量の安定性に対する要求が低い回路に適している。
発注例
| G | ；CT41V ；- ；1206 ；- ； ；X7R ；- ；1000V ；- ；102 ；K | |||||
| 品質等級 | モデルとなって着る | がいぶすんぽう | おんどとくせい | ていかくでんあつ | こうしょうようりょう | キャパシタンス公差 |
| 下表を参照 | II類中高圧多層セラミックコンデンサ | 下表を参照 | 下表を参照 | 直接標準法1000 V | 数値メソッド、102は1000 pF | 下表を参照 |
品質等級と実行基準対照表
| 品質等級 | 品質等級コード | 実行は共通基準を参照 | 詳細仕様番号 |
| 七つの特色料理 | G | QZJ 840624セラミックコンデンサ「七つのプロフェッショナル」技術条件 | Q/MC126-2019 |
| 一般軍事レベル | J | GJB192B-2011 GJB1940-1994 |
Q/MC125-2019 |
がいぶすんぽう
| 寸法コード | 外形寸法（mm） | |||
| L | W | Tmax | MB | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.20±0.20 | 1.35 | 0.40±0.15 |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.6 | 0.45±0.25 |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.40 | 2.8 | 0.45±0.15 |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.50 | 3. | 0.50±0.20 |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 3035 | 7.60±0.60 | 8.90±0.60 | 4. | 0.70±0.30 |
| 3640 | 9.10±0.60 | 10.10±0.60 | 5. | 0.80±0.30 |
| 4545 | 11.50±0.60 | 11.50±0.60 | 5. | 0.80±0.80 |
| 5550 | 14.00±0.80 | 12.70±0.80 | 6. | 1.00±0.30 |
| 7680 | 19.30±0.80 | 20.30±0.80 | 6. | 1.00±0.30 |
おんどとくせい
| 温度特性コード | 最大許容容量変化 | 動作温度範囲 |
| X7R | ±15% | -55℃~+125℃ |
| X7T | -33%~±22% | -55℃~+125℃ |
电容量允许偏差
| コード＃コード＃ | 許容偏差範囲 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主な業績指標
| プロジェクト | しけんじょうけん | パフォーマンス指標 |
| キャパシタンス ；CR | テスト周波数：1KHz±20%；試験電圧：1 V±0.2 Vrms | tgδ≤250x104. |
| そんしつかくタンジェント tgδ |
||
| ぜつえんていこう ；IR |
しけんでんあつ：UR＜1000 V、定格電圧を使用 UになるR≧1000 V、1000 V電圧を使用 試験時間：1 min±5 s |
CR≥0.047μF:IR≥100MΩ·μfcR＜0.047μF： IR≥1x104.MΩまたは100 MΩ・μF、小さい方を基準とする |
| たいあつ |
試験中、クランプコンデンサをシリコーンオイルに浸漬する必要がある、昇圧速度は200 V/sの最大要求に達するべきで、総昇圧時間は1分を超えてはならない; サージ電流：50 mA テスト電圧：UR=250V:2.5UR 500 V≦Uの場合R<；1000V:1.5UR UになるR≥1000V:1.2UR 試験時間：5 s±1 s 放電時間：5 s以上 |
破壊、アーク、または可視損傷なし |
メッセージ